c類介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測試儀由Q表、測試裝置，電感器及標準介質(zhì)樣品組成，能對絕緣材料進行高頻介質(zhì)損耗角正切值（tanδ）和介電常數(shù)（ε）的測試。它符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

基于串聯(lián)諧振原理的《GDAT高頻Q表》是測試系統(tǒng)的二次儀表，其數(shù)碼化主調(diào)電容器的創(chuàng)新設計代表了行業(yè)的zui高成就，
隨之帶來了頻率、電容雙掃描GDAT的全新搜索功能。該表具有先進的人機界面，采用LCD液晶屏顯示各測量因子：Q值、
電感L、主調(diào)電容器C、測試頻率F、諧振趨勢指針等。高頻信源采用直接數(shù)字合成,測試頻率10KHz-60MH或200KHz-
160MHz，頻率精度高達1×10-6。國標GB/T 1409-2006規(guī)定了用Q表法來測定電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值（tanδ）和介
電常數(shù)（ε），把被測材料作為平板電容的介質(zhì)，與輔助電感等構(gòu)成串聯(lián)諧振因子引入Q表的測試回路，以獲取zui高的測試靈
敏度。因而Q表法的測試結(jié)果更真實地反映了介質(zhì)在高頻工作狀態(tài)下的特征。

◎ 測試裝置符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

2 主要技術(shù)指標：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測試。

2.1.2 tanδ和ε測量范圍：

      tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測量精度（1MHz）：

      tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

2.2 Q表

2.3 介質(zhì)損耗裝置：

2.3.1 平板電容器極片尺寸：
    c類:Φ38mm和Φ50mm二種.
    c類:Φ38mm .
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：
      0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性： 
      0.33 pF /mm±0.05 pF, 
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：
      ±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距：
      25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:
      ≤2.5×10-4

2.5 高頻介質(zhì)樣品（選購件）：
  在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中，檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測量儀提供的測量標準是高頻標準介質(zhì)樣品。該樣品由人工藍寶石，石英玻璃，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測試樣品。用戶可按需訂購，以保證測試裝置的重復性和準確性。

電感:

線圈號    測試頻率    Q值    分布電容p       電感值  
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH 
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH
             
  1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH